最近开发5V/2A的充电器方案，选用的芯片为 AP3776BM，该芯片具有抖频功能，容易过EMI，且有极低的待机功耗，MOS选用了我们常见的超级结MOS，主要是受体积及温度的限制，选用了两家MOS的供应商，为了满足6级能效，先上效率的曲线分享给大家（效率是在USB的连接线端测试的噢）。

后来测试发现苏州东微半导体GreenMOS OSG65R2KA效率竟然比Rds(on)低的4N70高，且为了通过EMI，将OSG65R2KA的驱动电阻增大了，有些疑问，通过规格书及实际波形看出，效率高是有道理的，先上开关波形：

由于该芯片工作在DCM模式，所以为了找出两种MOS型号的差异性，观察MOS关闭的波形，明显看出OSG65R2KA这个型号的关闭时间小于4N70的（电流Id及Vds时间），这样开关损耗就明显的小了，相当于弥补了Rds(on)高引起的导通损耗，总体效率得以提高。

其它效率方面的提升，主要调试了启动电阻，RCD吸收电路及变压器方面的。

上面的图可能有些人会有疑问，两个型号的MOS是否EMI有问题啊，因为都是选用的超级结MOS。如下图分享给大家：

测试结果显示，EMI都有10dB以上裕量。鉴于OSG65R2KA效率高些，暂时选OSG65R2KA为Main Source。