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5V/2A充电器方案(BCD AP3776BM+苏州东微半导体GreenMOS OSG65R2KA TO-251)
2017-10-16/ 来源:网络整合

 最近开发5V/2A的充电器方案,选用的芯片为 AP3776BM,该芯片具有抖频功能,容易过EMI,且有极低的待机功耗,MOS选用了我们常见的超级结MOS,主要是受体积及温度的限制,选用了两家MOS的供应商,为了满足6级能效,先上效率的曲线分享给大家(效率是在USB的连接线端测试的噢)。

后来测试发现苏州东微半导体GreenMOS OSG65R2KA效率竟然比Rds(on)低的4N70高,且为了通过EMI,将OSG65R2KA的驱动电阻增大了,有些疑问,通过规格书及实际波形看出,效率高是有道理的,先上开关波形:

由于该芯片工作在DCM模式,所以为了找出两种MOS型号的差异性,观察MOS关闭的波形,明显看出OSG65R2KA这个型号的关闭时间小于4N70的(电流Id及Vds时间),这样开关损耗就明显的小了,相当于弥补了Rds(on)高引起的导通损耗,总体效率得以提高。

其它效率方面的提升,主要调试了启动电阻,RCD吸收电路及变压器方面的。

上面的图可能有些人会有疑问,两个型号的MOS是否EMI有问题啊,因为都是选用的超级结MOS。如下图分享给大家:

测试结果显示,EMI都有10dB以上裕量。鉴于OSG65R2KA效率高些,暂时选OSG65R2KA为Main Source。


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5V/2A充电器方案(BCD AP3776BM+苏州东微半导体GreenMOS OSG65R2KA TO-251) 5V/2A充电器方案(BCD AP3776BM+苏州东微半导体GreenMOS OSG65R2KA TO-251)