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- 晶体管-FET，MOSFET-单
- CSD19536KTTT
CSD19536KTTT
- 型号： CSD19536KTTT
- 品牌： Texas Instruments
- 属类： 晶体管-FET，MOSFET-单
- 说明： MOSFET N-CH 100V 200A TO263
- 数据表：
规格
| 产品属性 | 属性值 |
| Packaging: | Cut Tape (CT) |
| Series: | NexFET |
| FET Type: | N-Channel |
| Technology: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss): | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25C: | 200A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On: | 6V |
| Min Rds On): | 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 3.2V @ 250A |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 153nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: | 12000pF @ 50V |
| Vgs (Max): | 20V |
| FET Feature: | - |
| Power Dissipation (Max): | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id: | 2.4 mOhm @ 100A |
| Vgs: | 10V |
| Operating Temperature: | -55C ~ 175C (TJ) |
| Supplier Device Package: | Surface Mount |
| Supplier Device Package: | DDPAK/TO-263-3 |
| Package / Case: | TO-263-4 |
| Other: | D2Pak (3 Leads + Tab) |
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