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- 晶体管-FET，MOSFET-单
- CSD23201W10
CSD23201W10
- 型号： CSD23201W10
- 品牌： Texas Instruments
- 属类： 晶体管-FET，MOSFET-单
- 说明： MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
- 数据表：
规格
| 产品属性 | 属性值 |
| Packaging: | Tape & Reel (TR) |
| Series: | NexFET |
| FET Type: | P-Channel |
| Technology: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss): | 12V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25C: | 2.2A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On: | 1.5V |
| Min Rds On): | 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 1V @ 250A |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: | 325pF @ 6V |
| Vgs (Max): | -6V |
| FET Feature: | - |
| Power Dissipation (Max): | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id: | 82 mOhm @ 500mA |
| Vgs: | 4.5V |
| Operating Temperature: | -55C ~ 150C (TJ) |
| Supplier Device Package: | Surface Mount |
| Supplier Device Package: | 4-DSBGA (1x1) |
| Package / Case: | 4-UFBGA |
| Other: | DSBGA |
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